铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 周圣明 ; 黄涛华 ; 邹军 ; 李抒智 ; 周健华 ; 王军 |
| 发表日期 | 2008-03-05 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200610027647.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法，包括：方法一：用(302)面γ-LiAlO2作为衬底，用氢化物气相外延方法制备面(1120)面GaN厚膜。方法二：用(302)面γ-LiAlO2作为衬底，通过金属有机化学气相沉积方法预先在(302)面γ-LiAlO2衬底上制备出GaN薄膜，形成(1120)GaN/(302)γ-LiAlO2复合衬底，在此复合衬底上再用氢化物气相外延方法制备a面(1120)GaN厚膜；剥离(3 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2006-06-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200610027647.9 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10100]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周圣明,黄涛华,邹军,等. 铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法, 铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法. ZL200610027647.9. 2008-03-05. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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