生长高温氧化物晶体的装置
文献类型：专利
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| 作者 | 徐军 ; 陈杏达 ; 陈伟 ; 钟鹤裕 |
| 发表日期 | 2002-05-08 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL99124262.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种生长高温氧化物晶体的装置，主要适用提拉法生长像钒酸钇（ＹＶＯ4）和掺钕钒酸钇（Nd:ＹＶＯ4）的高温氧化物晶体。它包括置于炉罩中心位置上盛放熔体的熔体坩埚，由熔体坩埚至炉罩之间，依次有间隙层，呈坩埚或圆筒状的载热体，隔热层和感应加热线圈。感应加热线圈，通过隔热层，感应载热体，载热体将热量辐射给熔体坩埚，使熔体坩埚内的熔体温度缓慢而均匀地升高，形成热场温度梯度小，从而生长出大尺寸优质的晶体。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 1999-12-16 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN99124262.9 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10112]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐军,陈杏达,陈伟,等. 生长高温氧化物晶体的装置, 生长高温氧化物晶体的装置. ZL99124262.9. 2002-05-08. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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