倾斜入射光散射式硅片表面缺陷检测仪
文献类型：专利
| ; | |
| 作者 | 程兆谷 ; 高海军 ; 覃兆宇 ; 张志平 ; 黄惠杰 ; 钱红斌 |
| 发表日期 | 2006-10-04 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200520045038.7 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种倾斜入射光散射式硅片表面缺陷检测仪，其构成是：在所述的激光光源组件发出的光束前进的方向上，依次有双凹透镜和平凸透镜组成的扩束系统，双胶合聚焦透镜，光束经平面反射镜转折且聚焦倾斜入射在被测量硅片表面，硅片位于工作台上；两块凸面相对的平凸透镜构成的散射光收集镜头对散射光进行收集，光电探测器置于所述的收集镜头的焦点处，光电探测器的输出端接计算机，在硅片的反射光方向上设有一光学陷阱。本实用新型具有检测精度高、结构简单、体积小、信噪比高等特点。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2005-09-15 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200520045038.7 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/9868]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_精密光电测控研究与发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程兆谷,高海军,覃兆宇,等. 倾斜入射光散射式硅片表面缺陷检测仪, 倾斜入射光散射式硅片表面缺陷检测仪. ZL200520045038.7. 2006-10-04. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。