单晶银纳米线的合成方法
文献类型：专利
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| 作者 | 赵启涛 ; 侯立松 ; 黄瑞安 |
| 发表日期 | 2005-06-01 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL02159098.2 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 该发明是一种通过溶液反应合成单晶银纳米线的方法。首先将钛酸丁酯与乙酰丙酮按体积比1∶(0.2～5)比例混合均匀后再转入蒸馏瓶中；然后将AgNO3水溶液与分析纯N’N二甲基甲酰胺(DMF)混和，其中AgNO3在DMF中浓度范围为10-4～0.1g/ml，将其混和均匀后加入蒸馏瓶中，同时不断搅拌；混和液在50～70℃下进行反应2～24小时，离心分离获得银纳米线。本方法制备银纳米线具有成本低、结构性能较好、产率较高的特点。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2002-12-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN02159098.2 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/9296]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_高密度光存储技术实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵启涛,侯立松,黄瑞安. 单晶银纳米线的合成方法, 单晶银纳米线的合成方法. ZL02159098.2. 2005-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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