用于制造碳化硅的方法
文献类型：专利
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| 作者 | D马 ; L古 ; X鲍 ; W沈 |
| 发表日期 | 2011-06-15 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200980128538.8 |
| 专利类型 | 发明(PCT) |
| 关键词 | 物理化学 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 ; 英国石油有限公司 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 中文摘要 | 制造多孔碳化硅的方法，包括使碳化硅反应物的颗粒与碳颗粒混合，并在包含分子氧的气氛中于超过950℃的温度煅烧该混合物，其中混合物中碳化硅∶碳的质量比率为5∶1-1∶10。 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 公开日期 | 2011-06-15 ; 2011-07-11 |
| 申请日期 | 2009-05-18 |
| 语种 | 中文 |
| 资助信息 | 大连化物所 |
| 专利证书号 | 带填写 |
| 专利申请号 | CN200980128538.8 |
| 专利代理 | 王伦伟 ; 林毅斌 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/106831]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | D马,L古,X鲍,等. 用于制造碳化硅的方法, 用于制造碳化硅的方法. CN200980128538.8. 2011-06-15. |
入库方式： OAI收割
来源：大连化学物理研究所
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