一种在介孔硅材料的孔外表面修饰功能基团的制备方法
文献类型:专利
; | |
作者 | 关亚风 ; 祁艳霞 ; 王华 ; 朱道乾 |
发表日期 | 2010-06-09 |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN200810228227.6 |
专利类型 | 发明 |
关键词 | 物理化学 |
权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种在介孔硅材料的孔外表面修饰功能基团的制备方法。本方法包括材料的修饰和成孔剂去除两步。将含有成孔剂的介孔二氧化硅材料与带有功能基团的有机硅氧烷在干燥惰性有机溶剂中反应,该反应在氮气保护下进行。将反应后产物采用酸化醇萃取,除去成孔剂,同时将3-(2,3-环氧丙氧)丙基转化为烷基二醇基。该材料可以提高对蛋白质或肽的筛分能力,大大降低样品预处理过程中高分子量生物基质的干扰,适合于复杂生物基质中对小分子药物及小肽的选择性富集。 |
是否PCT专利 | 是 |
学科主题 | 物理化学 |
公开日期 | 2010-06-09 ; 2011-07-11 |
申请日期 | 2008-10-22 |
语种 | 中文 |
资助信息 | 大连化物所 |
专利证书号 | 带填写 |
专利申请号 | CN200810228227.6 |
专利代理 | 马驰 ; 周秀梅 |
源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/107277] ![]() |
专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 关亚风,祁艳霞,王华,等. 一种在介孔硅材料的孔外表面修饰功能基团的制备方法, 一种在介孔硅材料的孔外表面修饰功能基团的制备方法. CN200810228227.6. 2010-06-09. |
入库方式: OAI收割
来源:大连化学物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。