表面改性技术加工RB-SiC超光滑表面反射镜方法
文献类型:专利
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作者 | 公发全 ; 刘万发 ; 李 刚 ; 董 闯 ; 牟宗信 |
发表日期 | 2009-07-01 |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN200710159200.1 |
专利类型 | 发明 |
关键词 | 物理化学 |
权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种加工具有微孔的RB-SiC表面加工及处理方法,在 RB-SiC基底采用表面沉积或能流注入方法产生致密化的加工层;然后对致密化的加工层进行常规精抛光加工,再采用纳米抛光方法对加工层进行抛光。本发明将表面改性技术和光学机械加工相结合,其针对RB-SiC存在的微孔缺陷,利用表面改性技术使得待加工RB-SiC基底表面致密化,然后再进行光学二次加工,以实现RB-SiC基底表面的粗糙度小于1nm(rms)水平。因此本发明为以具有微孔材料为基底的超光滑表面加工提供了行之有效的方法。 |
是否PCT专利 | 是 |
学科主题 | 物理化学 |
公开日期 | 2009-07-01 ; 2011-07-11 |
申请日期 | 2007-12-26 |
语种 | 中文 |
资助信息 | 大连化物所 |
专利证书号 | 带填写 |
专利申请号 | CN200710159200.1 |
专利代理 | 马驰 ; 周秀梅 |
源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/107611] ![]() |
专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 公发全,刘万发,李 刚,等. 表面改性技术加工RB-SiC超光滑表面反射镜方法, 表面改性技术加工RB-SiC超光滑表面反射镜方法. CN200710159200.1. 2009-07-01. |
入库方式: OAI收割
来源:大连化学物理研究所
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