磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究
文献类型:期刊论文
作者 | 杜鑫1,2; 苗蕾1,3![]() |
刊名 | 新能源进展
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出版日期 | 2016 |
期号 | 5页码:345-350 |
关键词 | 热电材料 硅锗薄膜 纳米结构 热电性能 |
其他题名 | Thermoelectric Property of Si1-xGex/B Multilayer Thin Film Prepared by Magnetron Sputtering |
文献子类 | 期刊 |
英文摘要 | Unique structure (SiGe/B) based multilayer film prepared by magnetron sputtering was designed with purposes of improving electrical conductivity and Seebeck coefficient, and reducing thermal conductivity. The multilayer film contains 5 periods and each of |
语种 | 中文 |
资助机构 | 国家自然科学基金项目(51572049,51562005);广东省科技计划项目(2013B050800006);中国科学院BIC对外合作项目(182344KYSB20130006) |
源URL | [http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/16076] ![]() |
专题 | 中国科学院广州能源研究所 |
作者单位 | 1.中国科学院广州能源研究所,中国科学院可再生能源重点实验室,广州 510640 2.中国科学院大学,北京100049 3.桂林电子科技大学,广西桂林541004 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜鑫,苗蕾,刘呈燕,等. 磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究[J]. 新能源进展,2016(5):345-350. |
APA | 杜鑫,苗蕾,刘呈燕,&王潇漾.(2016).磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究.新能源进展(5),345-350. |
MLA | 杜鑫,et al."磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究".新能源进展 .5(2016):345-350. |
入库方式: OAI收割
来源:广州能源研究所
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