一种用于内毒素去除的疏水荷正电亲和膜及其制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 魏桂林 ; 商振华 ; 于亿年 ; 刘学良 ; 王俊德 |
| 发表日期 | 2002-06-19 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN00123290.8 |
| 专利类型 | 发明 |
| 关键词 | 物理化学 |
| 权利人 | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 中文摘要 | 一种用于内毒素去除的疏水荷正电亲和膜，其特征在于：该亲和膜以纤维素膜为基质，键合胺类疏水荷正电亲和配基，配基的量为30～80μmol/g膜；胺类疏水荷正电亲和配基为2～12碳的烃基二胺、带有乙烯基的不饱和杂环化合物、带有环氧基团的季铵盐及带有多个疏水基团的季铵盐。本发明亲和膜强度高、对内毒素的选择性强、并且价格低廉。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 学科主题 | 物理化学 |
| 公开日期 | 2002-06-19 ; 2011-07-11 |
| 申请日期 | 2000-11-22 |
| 语种 | 中文 |
| 资助信息 | 大连化物所 |
| 专利证书号 | 带填写 |
| 专利申请号 | CN00123290.8 |
| 专利代理 | 张晨 |
| 源URL | [http://159.226.238.44/handle/321008/110085]  |
| 专题 | 大连化学物理研究所_中国科学院大连化学物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏桂林,商振华,于亿年,等. 一种用于内毒素去除的疏水荷正电亲和膜及其制备方法, 一种用于内毒素去除的疏水荷正电亲和膜及其制备方法. CN00123290.8. 2002-06-19. |
入库方式： OAI收割
来源：大连化学物理研究所
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