O/N比率对磁控溅射制备TiNxOy薄膜光学性质的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 王建强 ; 沈辉 ; 汪保卫 |
| 出版日期 | 2005-10-01 |
| 会议名称 | 第四届全国纳米材料会议 |
| 会议日期 | 2005-10-01 |
| 会议地点 | 山东烟台 |
| 关键词 | 反应磁控溅射 吸收率 沉积速率 TiNxOy薄膜 分光光度计 光学性质 |
| 中文摘要 | 用直流反应磁控溅射设备,在不同O/N比率条件下,在铜片和载玻片上制备了TiNxOy薄膜.用分光光度计、n&k薄膜光学分析仪和台阶仪测试了样品的反射率、光学常数(n&k)及膜厚.结果发现随O/N比率提高,薄膜的吸收率、190～900nm范围内的平均折射率、500nm附近的折射率和450nm处的消光系数有了明显提高;但O/N比率过高时,薄膜热发射率增加,700nm处的k值和沉积速率急剧减小。 |
| 会议主办者 | 中国材料研究学会 |
| 会议录 | 纳米材料与技术应用进展--第四届全国纳米材料会议论文集
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| 会议录出版者 | 山东烟台 |
| 会议录出版地 | 山东烟台 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/7894]  |
| 专题 | 中国科学院广州能源研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王建强,沈辉,汪保卫. O/N比率对磁控溅射制备TiNxOy薄膜光学性质的影响[C]. 见:第四届全国纳米材料会议. 山东烟台. 2005-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：广州能源研究所
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