开口隔离层上多晶硅薄膜制备
文献类型：会议论文
| 作者 | 梁宗存 ; 柳锡运 ; 沈辉 |
| 出版日期 | 2004-11-15 |
| 会议名称 | 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 |
| 会议日期 | 2004-11-15 |
| 会议地点 | 深圳 |
| 关键词 | 多晶硅薄膜电池 颗粒硅带 薄膜沉积 |
| 中文摘要 | 在SSP 硅带衬底上制备开口SiO2 隔离层，在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层；然后以ZMR 将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶，制备了SSP 隔离层上多晶硅薄膜，并制备了多晶硅薄膜电池。研究结果表明：ZMR 对籽晶层的区融、结晶效果比较理想，晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽；经过晶硅薄膜沉积后，开口隔离层的孔洞未完全被多晶硅薄膜层覆盖住；制备的电池的光特性参数Voc、Isc 、FF 都比较低，电池的最高转换效率为3.83﹪；指出了改进的工艺措施。 |
| 会议主办者 | 中国太阳能学会 |
| 会议录出版者 | 深圳 |
| 会议录出版地 | 深圳 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/7900]  |
| 专题 | 中国科学院广州能源研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁宗存,柳锡运,沈辉. 开口隔离层上多晶硅薄膜制备[C]. 见:第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛. 深圳. 2004-11-15. |
入库方式： OAI收割
来源：广州能源研究所
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