RTCVD制备多晶硅薄膜的性能参数研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 王磊 ; 沈辉 ; 胡芸菲 ; 班群 |
| 出版日期 | 2004-11-15 |
| 会议名称 | 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 |
| 会议日期 | 2004-11-15 |
| 会议地点 | 深圳 |
| 关键词 | 多晶硅薄膜 太阳电池 薄膜性能 |
| 中文摘要 | 研究了RTCVD 设备参数如：温度、反应气体流量、沉积时间对多晶硅薄膜的性能的影响，通过扫描电镜（SEM）、X 射线（XRD）、霍尔测试及电池模拟软件PC1D 描述了薄膜性质随各参数的变化规律性，提出改进薄膜性能的思路。 |
| 会议主办者 | 中国太阳能学会 |
| 会议录出版者 | 深圳 |
| 会议录出版地 | 深圳 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/7904]  |
| 专题 | 中国科学院广州能源研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王磊,沈辉,胡芸菲,等. RTCVD制备多晶硅薄膜的性能参数研究[C]. 见:第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛. 深圳. 2004-11-15. |
入库方式： OAI收割
来源：广州能源研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。