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Thermal stability of F ion-implant isolated AlGaN/GaN heterostructures

文献类型:期刊论文

作者Deng, Xuguang(邓旭光); Tan, Shuxin; Zhang, Boshun(张宝顺); Zhang, Jicai(张纪才)
刊名SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY
出版日期2018
其他题名Thermal stability of F ion-implant isolated AlGaN/GaN heterostructures
语种英语
源URL[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6130]  
专题苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台
作者单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Deng, Xuguang,Tan, Shuxin,Zhang, Boshun,et al. Thermal stability of F ion-implant isolated AlGaN/GaN heterostructures[J]. SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY,2018.
APA Deng, Xuguang,Tan, Shuxin,Zhang, Boshun,&Zhang, Jicai.(2018).Thermal stability of F ion-implant isolated AlGaN/GaN heterostructures.SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY.
MLA Deng, Xuguang,et al."Thermal stability of F ion-implant isolated AlGaN/GaN heterostructures".SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY (2018).

入库方式: OAI收割

来源:苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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