Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure
文献类型：期刊论文
| 作者 | Dai, Shujun(戴淑君); Gao, Hongwei(高宏伟); Zhou, Yu(周宇) ; Zhong, Yaozong; Wang, Jin; He, Junlei(何俊蕾); Zhou, Rui; Feng, Meixin(冯美鑫); Sun, Qian(孙钱); Yang, Hui(杨辉)
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| 刊名 | JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
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| 出版日期 | 2018 |
| 其他题名 | Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6145]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_孙钱团队 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Dai, Shujun,Gao, Hongwei,Zhou, Yu,et al. Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure[J]. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2018. |
| APA | Dai, Shujun.,Gao, Hongwei.,Zhou, Yu.,Zhong, Yaozong.,Wang, Jin.,...&Yang, Hui.(2018).Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure.JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS. |
| MLA | Dai, Shujun,et al."Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure".JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS (2018). |
入库方式： OAI收割
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