Switching current reduction using MgO cap layer in magnetic tunnel junctions
文献类型：期刊论文
| 作者 | Fang, Bin(方彬); Zhang, Like; Zeng, Zhongming(曾中明) ; Cai, Jialin(蔡佳林)
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| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2018 |
| 其他题名 | Switching current reduction using MgO cap layer in magnetic tunnel junctions |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6161]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Fang, Bin,Zhang, Like,Zeng, Zhongming,et al. Switching current reduction using MgO cap layer in magnetic tunnel junctions[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2018. |
| APA | Fang, Bin,Zhang, Like,Zeng, Zhongming,&Cai, Jialin.(2018).Switching current reduction using MgO cap layer in magnetic tunnel junctions.APPLIED PHYSICS LETTERS. |
| MLA | Fang, Bin,et al."Switching current reduction using MgO cap layer in magnetic tunnel junctions".APPLIED PHYSICS LETTERS (2018). |
入库方式： OAI收割
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