Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ding, Xiaoyu; Yu, Guohao; Cheng, Kai; Cai, Yong ; Zhang, Baoshun(张宝顺); Xu, Ning; Hao, Ronghui(郝荣晖); Chen, Fu(陈扶); Song, Liang; Zhang, Xiaodong(张晓东)
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| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2018 |
| 其他题名 | Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6162]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ding, Xiaoyu,Yu, Guohao,Cheng, Kai,et al. Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2018. |
| APA | Ding, Xiaoyu.,Yu, Guohao.,Cheng, Kai.,Cai, Yong.,Zhang, Baoshun.,...&Zhang, Peipei.(2018).Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors.APPLIED PHYSICS LETTERS. |
| MLA | Ding, Xiaoyu,et al."Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors".APPLIED PHYSICS LETTERS (2018). |
入库方式： OAI收割
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