Nonpolar vertical GaN-on-GaN p-n diodes grown on free-standing (10(1)over-bar0) m-plane GaN
文献类型：期刊论文
| 作者 | Fu, Houqiang; Yang, Tsung-Han; Xu, Ke(徐科) ; Ponce, Fernando A.; Zhang, Baoshun(张宝顺); Zhao, Yuji; Baranowski, Izak; Chen, Hong; Huang, Xuanqi; Alugubelli, Shanthan R.
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| 刊名 | APPLIED PHYSICS EXPRESS
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| 出版日期 | 2018 |
| 其他题名 | Nonpolar vertical GaN-on-GaN p-n diodes grown on free-standing (10(1)over-bar0) m-plane GaN |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6167]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Fu, Houqiang,Yang, Tsung-Han,Xu, Ke,et al. Nonpolar vertical GaN-on-GaN p-n diodes grown on free-standing (10(1)over-bar0) m-plane GaN[J]. APPLIED PHYSICS EXPRESS,2018. |
| APA | Fu, Houqiang.,Yang, Tsung-Han.,Xu, Ke.,Ponce, Fernando A..,Zhang, Baoshun.,...&Zhang, Xiaodong.(2018).Nonpolar vertical GaN-on-GaN p-n diodes grown on free-standing (10(1)over-bar0) m-plane GaN.APPLIED PHYSICS EXPRESS. |
| MLA | Fu, Houqiang,et al."Nonpolar vertical GaN-on-GaN p-n diodes grown on free-standing (10(1)over-bar0) m-plane GaN".APPLIED PHYSICS EXPRESS (2018). |
入库方式： OAI收割
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