The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang, J. ; Liu, S.T.; Du, G.T.; Zhang, Y.T.; Li, M.; Wang, W.J.; Zhang, L.Q.(张立群); Peng, L.Y.; Xing, Y.; Liu, W.
|
| 刊名 | Optical Materials
 |
| 出版日期 | 2018 |
| 其他题名 | The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6184]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_刘建平团队 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, J.,Liu, S.T.,Du, G.T.,et al. The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells[J]. Optical Materials,2018. |
| APA | Yang, J..,Liu, S.T..,Du, G.T..,Zhang, Y.T..,Li, M..,...&Zhao, D.G..(2018).The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells.Optical Materials. |
| MLA | Yang, J.,et al."The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells".Optical Materials (2018). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。