Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT
文献类型：期刊论文
| 作者 | Deng, Xuguang(邓旭光); Li, Xiang; Xu, Ning; Hao, Ronghui(郝荣晖); Zhang, Xinping; Cai, Yong(蔡勇) ; Fu, Kai(付凯); Cheng, Kai; Song, Liang(宋亮); Zhang, Baoshun(张宝顺)
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| 刊名 | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
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| 出版日期 | 2018 |
| 其他题名 | Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6195]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Deng, Xuguang,Li, Xiang,Xu, Ning,et al. Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2018. |
| APA | Deng, Xuguang.,Li, Xiang.,Xu, Ning.,Hao, Ronghui.,Zhang, Xinping.,...&Zhao, Jie.(2018).Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT.IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. |
| MLA | Deng, Xuguang,et al."Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT".IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (2018). |
入库方式： OAI收割
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