An Al0.25Ga0.75N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yu, Guo-Hao(于国浩); Cai, Yong(蔡勇) ; Zhang, Bao-Shun(张宝顺); Wang, Yi-Qun(王逸群); Fu, Kai(付凯); Huang, Hong-Juan(黄宏娟); Zhao, De-Sheng(赵德胜); Sun, Run-Guang; Liu, Ran
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| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2018 |
| 其他题名 | An Al0.25Ga0.75N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6241]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yu, Guo-Hao,Cai, Yong,Zhang, Bao-Shun,et al. An Al0.25Ga0.75N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2018. |
| APA | Yu, Guo-Hao.,Cai, Yong.,Zhang, Bao-Shun.,Wang, Yi-Qun.,Fu, Kai.,...&Liu, Ran.(2018).An Al0.25Ga0.75N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel.CHINESE PHYSICS LETTERS. |
| MLA | Yu, Guo-Hao,et al."An Al0.25Ga0.75N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel".CHINESE PHYSICS LETTERS (2018). |
入库方式： OAI收割
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