AlGaN/GaNHEMT生化传感器的设计、制备及性能检测
文献类型:学位论文
作者 | 丁祥桢 |
答辩日期 | 2018 |
文献子类 | 硕士 |
授予单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
导师 | 李加东 |
关键词 | 氮化镓,高电子迁移率晶体管,生化传感器,延伸栅,分子膜栅 |
学位名称 | 硕士 |
学位专业 | 电子与通信工程 |
其他题名 | AlGaN/GaNHEMT生化传感器的设计、制备及性能检测 |
源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6337] |
专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米研究国际实验室_吴东岷团队 |
作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁祥桢. AlGaN/GaNHEMT生化传感器的设计、制备及性能检测[D]. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所. 2018. |
入库方式: OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。