衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 江灵荣 |
| 答辩日期 | 2018 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 导师 | 刘建平 |
| 关键词 | 斜切角,GaN,InGaN,表面形貌,光电特性 |
| 学位名称 | 硕士 |
| 学位专业 | 电子与通信工程 |
| 其他题名 | 衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6342]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_刘建平团队 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江灵荣. 衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究[D]. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所. 2018. |
入库方式： OAI收割
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