一种柔性衬底GaAs 薄膜电池及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 谭明,陆书龙,代盼,吴渊渊,季莲 |
| 发表日期 | 2018-02-13 |
| 国家 | 中国 |
| 其他题名 | 一种柔性衬底GaAs 薄膜电池及其制备方法 |
| 申请日期 | 2014-09-12 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6412]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_SONY团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭明,陆书龙,代盼,吴渊渊,季莲. 一种柔性衬底GaAs 薄膜电池及其制备方法. 2018-02-13. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。