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具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法

文献类型:专利

作者张峰,池田昌夫,周坤,刘建平,张书明,李德尧,张立群,杨辉
发表日期2018-08-10
国家中国
其他题名具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法
申请日期2015-02-09
源URL[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6436]  
专题苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_刘建平团队
推荐引用方式
GB/T 7714
张峰,池田昌夫,周坤,刘建平,张书明,李德尧,张立群,杨辉. 具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法. 2018-08-10.

入库方式: OAI收割

来源:苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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