在Ge 衬底上生长GaAs 外延薄膜的方法
文献类型：专利
| 作者 | 贾少鹏,何巍,陆书龙 |
| 发表日期 | 2018-08-28 |
| 国家 | 中国 |
| 其他题名 | 在Ge 衬底上生长GaAs 外延薄膜的方法 |
| 申请日期 | 2015-02-16 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6437]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_SONY团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾少鹏,何巍,陆书龙. 在Ge 衬底上生长GaAs 外延薄膜的方法. 2018-08-28. |
入库方式： OAI收割
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