Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 张志利,蔡勇,张宝顺,付凯,于国浩,孙世闯,宋亮 |
| 发表日期 | 2018-11-09 |
| 国家 | 中国 |
| 其他题名 | Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法 |
| 申请日期 | 2015-04-10 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6444]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张志利,蔡勇,张宝顺,付凯,于国浩,孙世闯,宋亮. Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法. 2018-11-09. |
入库方式： OAI收割
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