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基于Os 衬底的外延结构及其制作方法

文献类型:专利

作者李宝吉,吴渊渊,陆书龙
发表日期2018-11-09
国家中国
其他题名基于Os 衬底的外延结构及其制作方法
申请日期2015-06-05
源URL[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6451]  
专题苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_SONY团队
推荐引用方式
GB/T 7714
李宝吉,吴渊渊,陆书龙. 基于Os 衬底的外延结构及其制作方法. 2018-11-09.

入库方式: OAI收割

来源:苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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