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晶圆级半导体器件及其制备方法

文献类型:专利

作者蔡勇,张亦斌,徐飞
发表日期2018-07-04
国家日本
其他题名晶圆级半导体器件及其制备方法
申请日期2016-07-22
源URL[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/6496]  
专题苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_张宝顺团队
推荐引用方式
GB/T 7714
蔡勇,张亦斌,徐飞. 晶圆级半导体器件及其制备方法. 2018-07-04.

入库方式: OAI收割

来源:苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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