MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜
文献类型：期刊论文
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| 作者 | 郝瑞亭; 申兰先; 邓书康; 杨培志; 涂洁磊; 廖华; 徐应强 ; 牛智川
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| 刊名 | 功能材料
 ; 功能材料
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| 出版日期 | 2010 ; 2010 |
| 卷号 | 41期号:4页码:734-736 |
| 产权排序 | 国家自然科学基金资助项目,国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目,云南省社会发展科技计划资助项目 |
| 学科主题 | 半导体材料 ; 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| CSCD记录号 | CSCD:3870327 |
| 公开日期 | 2011-08-04 ; 2011-08-04 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21456]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郝瑞亭,申兰先,邓书康,等. MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜, MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜[J]. 功能材料, 功能材料,2010, 2010,41, 41(4):734-736, 734-736. |
| APA | 郝瑞亭.,申兰先.,邓书康.,杨培志.,涂洁磊.,...&牛智川.(2010).MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜.功能材料,41(4),734-736. |
| MLA | 郝瑞亭,et al."MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜".功能材料 41.4(2010):734-736. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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