面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘胜北 |
| 答辩日期 | 2018-01 |
| 文献子类 | 博士后 |
| 授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | SiC材料由于其优异的材料特性，在电力电子领域被视为替代功率器件的理想选择。现阶段中低压领域1200V以内的SiC肖特基二极管以及MOSFET已经成功实现了商品化，并在各种应用中逐步的替代硅基功率器件。然而，对于更高的电压领域SiC基电力电子器件面临着一些基本问题弑待解决，首先硅基IGBT通过新型器件结构，耐压2000V以上时其理论导通电阻已经超过了SiC单极型器件，并且该原型器件已经成功制备，有必要通过结构的改进进一步降低SiC材料的导通电阻 ; 其次，由于器件耐压越高要求的外延层厚度越厚，SiC厚膜外延还不能满足工业化生产的需求 ; 最后，SiC外延的外延层载流子寿命过低，而最常用的氧化提高寿命的方法，面临着氧化温度高，时间长，效率低的问题。 |
| 学位专业 | SiC，超级结，载流子寿命，沟槽刻蚀，沟槽外延 |
| 学科主题 | 半导体材料 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2018-02-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28265]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘胜北. 面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所. 2018. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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