InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王俊; 王俊 |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 39期号:4页码:878-882 |
| 中文摘要 | 利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分别研究了InAs单晶抛光片的表面形貌和化学构成. 结果表明:机械化学抛光工艺条件和清洗腐蚀过程对InAs单晶抛光片表面的化学组分构成和表面粗糙度有很大的影响. 通常情况下, InAs单晶抛光片的表面氧化层中含有In_2O_3、As_2 O_5、As_2 O_3及元素As, 而随着As的挥发, 使抛光片表面化学计量比明显富铟. 通过适当的化学处理控制其表面的化学组分, 减小了表面粗糙度, 从而获得材料外延生长所要求的开盒即用InAs单晶衬底 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21616]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,王俊. InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析[J]. 人工晶体学报,2010,39(4):878-882. |
| APA | 王俊,&王俊.(2010).InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析.人工晶体学报,39(4),878-882. |
| MLA | 王俊,et al."InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析".人工晶体学报 39.4(2010):878-882. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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