单片集成电吸收调制分布反馈激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱洪亮 ; 王圩; 梁松; 朱小宁
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| 刊名 | 光电子·激光
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 22期号:1页码:13-15 |
| 中文摘要 | 提出一种选择区域外延双有源区叠层(SAG-DSAL)结构新技术,基于此技术设计研制了单片集成电吸收调制激光器(EML),SAG-DSAL-EML管芯的阈值电流为20 mA,工作电流为100 mA时的出光功率为10 mW,由吸收调制器(EAM)加-3 V偏压时的消光比为12 dB,实现了简化制作工艺并提高器件性能的预期目的,有望用于规模化生产 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家"863"计划资助项目,国家自然科学基金资助项目,国家"973"计划资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21630]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱洪亮,王圩,梁松,等. 单片集成电吸收调制分布反馈激光器[J]. 光电子·激光,2011,22(1):13-15. |
| APA | 朱洪亮,王圩,梁松,&朱小宁.(2011).单片集成电吸收调制分布反馈激光器.光电子·激光,22(1),13-15. |
| MLA | 朱洪亮,et al."单片集成电吸收调制分布反馈激光器".光电子·激光 22.1(2011):13-15. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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