二次退火制备I I I-V族半导体量子点
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金鹏
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| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 39期号:3页码:747-750 |
| 中文摘要 | 利用离子注入法在一块Si (001)衬底上注入了In~+和As~+,注入能量分别为210 keV, 150 keV,注入剂量6. 2 ×1016cm~(-2), 8. 6×1016cm~(-2),另一块Si (001)衬底上注入Ga~+和Sb~+,注入能量分别为140 keV, 220 keV,注入剂量分别为8. 2×1016cm~(-2), 6. 2×1016cm~(-2),然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料。用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21636]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金鹏. 二次退火制备I I I-V族半导体量子点[J]. 人工晶体学报,2010,39(3):747-750. |
| APA | 金鹏.(2010).二次退火制备I I I-V族半导体量子点.人工晶体学报,39(3),747-750. |
| MLA | 金鹏."二次退火制备I I I-V族半导体量子点".人工晶体学报 39.3(2010):747-750. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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