非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈燕 ; 邓爱红 ; 赵有文 ; 张英杰 ; 余鑫祥 ; 喻菁 ; 龙娟娟 ; 周宇璐 ; 张丽然 |
| 刊名 | 四川大学学报. 自然科学版
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 47期号:5页码:1069-1072 |
| 中文摘要 | 本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构,电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21640]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈燕,邓爱红,赵有文,等. 非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究[J]. 四川大学学报. 自然科学版,2010,47(5):1069-1072. |
| APA | 陈燕.,邓爱红.,赵有文.,张英杰.,余鑫祥.,...&张丽然.(2010).非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究.四川大学学报. 自然科学版,47(5),1069-1072. |
| MLA | 陈燕,et al."非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究".四川大学学报. 自然科学版 47.5(2010):1069-1072. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。