非晶硅太阳能电池背反ZnO:Al薄膜制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 彭文博 ; 刘石勇
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| 刊名 | 硅酸盐学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 38期号:1页码:46-49 |
| 中文摘要 | 以ZnO:Al(2%Al_2O_3,质量分数)为靶材,用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备ZnO:Al薄膜,分析了各沉积参数对薄膜光电性能的影响.结果表明:溅射功率对ZnO:Al的透过率影响最大,其次是反应腔室压力,而衬底温度对透过率几乎没有影响.ZnO:Al的电阻率主要取决于衬底温度和溅射功率.综合考虑透过率和电阻率,确定了背反ZnO:Al的最佳沉积参数(衬底温度为200℃,溅射功率为200W,反虑腔室压力为0.6Pa),得到了透过率大于85%,电阻率最小为7.6×10~(-4)Ω·cm的ZnO:Al薄膜.制备了ZnO:Al/Ag/ss(stainless steel)背反电极,并将其用于非晶硅太阳能电池.与无背反的不锈钢衬底上的电池相比,非晶硅太阳能电池短路电流密度增加了16%. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家973计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21642]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭文博,刘石勇. 非晶硅太阳能电池背反ZnO:Al薄膜制备[J]. 硅酸盐学报,2010,38(1):46-49. |
| APA | 彭文博,&刘石勇.(2010).非晶硅太阳能电池背反ZnO:Al薄膜制备.硅酸盐学报,38(1),46-49. |
| MLA | 彭文博,et al."非晶硅太阳能电池背反ZnO:Al薄膜制备".硅酸盐学报 38.1(2010):46-49. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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