GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长
文献类型：期刊论文
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| 作者 | 王兵 ; 李志聪; 姚然; 梁萌; 闫发旺; 王国宏
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| 刊名 | 物理学报
 ; 物理学报
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| 出版日期 | 2011 ; 2011 |
| 卷号 | 60期号:1页码:016108-1-016108-6 |
| 中文摘要 | 本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现, Al组分介于10%—30%之间能够很好地将电子限定在量子阱区域并保持高的材料晶体质量.发展了一种新的生长技术来克服p-AlGaN层掺入效率低下和空穴注入不足的问题.优化条件下生长的p型AlGaN电子阻挡层很大地提升了InGaN/GaN基LED的输出光功率 |
| 英文摘要 | 本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度,压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现, Al组分介于10%—30%之间能够很好地将电子限定在量子阱区域并保持高的材料晶体质量.发展了一种新的生长技术来克服p-AlGaN层掺入效率低下和空穴注入不足的问题.优化条件下生长的p型AlGaN电子阻挡层很大地提升了InGaN/GaN基LED的输出光功率 |
| 学科主题 | 半导体材料 ; 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家高技术研究发展计划 |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:4120316 |
| 资助机构 | 国家高技术研究发展计划 |
| 公开日期 | 2011-08-16 ; 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21656]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王兵,李志聪,姚然,等. GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长, GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长[J]. 物理学报, 物理学报,2011, 2011,60, 60(1):016108-1-016108-6, 016108-1-016108-6. |
| APA | 王兵,李志聪,姚然,梁萌,闫发旺,&王国宏.(2011).GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长.物理学报,60(1),016108-1-016108-6. |
| MLA | 王兵,et al."GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长".物理学报 60.1(2011):016108-1-016108-6. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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