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InAs/In_x Ga_(1-x) Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究

文献类型:期刊论文

作者陈良惠; 卫炀; 马文全; 黄建亮; 杨涛
刊名物理学报
出版日期2010
卷号59期号:5页码:3099-3106
中文摘要运用包络函数模型和传输矩阵方法计算了二类超晶格的能级结构.考虑到InAs与In_xGa_(1-x)Sb结合存在应变, 在计算中InAs/In_x Ga_(1-x)Sb二类超晶格的带阶采用模型固体理论处理.因为吸收系数与电子-空穴波函数交叠成正比, 所以研究了InAs/In_x Ga_(1-x)Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长和电子-空穴波函数交叠与InAs层厚度, In_x Ga_(1-x) Sb层厚度, In组分之间和周期数的关系.结果表明, 吸收波长随InAs层厚度的增大而增大, 随In_xGa_(1-x)Sb层厚度增大而增大, 随In组分增加而增大, 随周期数的增大, 先减小后不变.而电子-空穴波函数的交叠随InAs层厚度的增大而减小, 随In_x Ga_(1-x) Sb层厚度增大也减小, 随In组分增加而稍微增大, 随周期数的增大, 先增大后缓慢增加, 然后基本上保持不变.另外, 发现在相同的吸收波长下, InAs层的厚度与In_xGa_(1-x)Sb层的厚度的比值越大, 波函数的交叠也越大
学科主题光电子学
资助信息国家重点基础研究发展计划(973项目)
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2011-08-16
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21704]  
专题半导体研究所_纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
陈良惠,卫炀,马文全,等. InAs/In_x Ga_(1-x) Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究[J]. 物理学报,2010,59(5):3099-3106.
APA 陈良惠,卫炀,马文全,黄建亮,&杨涛.(2010).InAs/In_x Ga_(1-x) Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究.物理学报,59(5),3099-3106.
MLA 陈良惠,et al."InAs/In_x Ga_(1-x) Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究".物理学报 59.5(2010):3099-3106.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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