InAs/In_x Ga_(1-x) Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究
文献类型:期刊论文
作者 | 陈良惠; 卫炀; 马文全; 黄建亮; 杨涛 |
刊名 | 物理学报 |
出版日期 | 2010 |
卷号 | 59期号:5页码:3099-3106 |
中文摘要 | 运用包络函数模型和传输矩阵方法计算了二类超晶格的能级结构.考虑到InAs与In_xGa_(1-x)Sb结合存在应变, 在计算中InAs/In_x Ga_(1-x)Sb二类超晶格的带阶采用模型固体理论处理.因为吸收系数与电子-空穴波函数交叠成正比, 所以研究了InAs/In_x Ga_(1-x)Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长和电子-空穴波函数交叠与InAs层厚度, In_x Ga_(1-x) Sb层厚度, In组分之间和周期数的关系.结果表明, 吸收波长随InAs层厚度的增大而增大, 随In_xGa_(1-x)Sb层厚度增大而增大, 随In组分增加而增大, 随周期数的增大, 先减小后不变.而电子-空穴波函数的交叠随InAs层厚度的增大而减小, 随In_x Ga_(1-x) Sb层厚度增大也减小, 随In组分增加而稍微增大, 随周期数的增大, 先增大后缓慢增加, 然后基本上保持不变.另外, 发现在相同的吸收波长下, InAs层的厚度与In_xGa_(1-x)Sb层的厚度的比值越大, 波函数的交叠也越大 |
学科主题 | 光电子学 |
资助信息 | 国家重点基础研究发展计划(973项目) |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2011-08-16 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21704] |
专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠,卫炀,马文全,等. InAs/In_x Ga_(1-x) Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究[J]. 物理学报,2010,59(5):3099-3106. |
APA | 陈良惠,卫炀,马文全,黄建亮,&杨涛.(2010).InAs/In_x Ga_(1-x) Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究.物理学报,59(5),3099-3106. |
MLA | 陈良惠,et al."InAs/In_x Ga_(1-x) Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究".物理学报 59.5(2010):3099-3106. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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