表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠 ; 陈微
|
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 59期号:11页码:8083-8087 |
| 中文摘要 | 近年来, GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光提取效率受到限制的原因,将光子晶体结构引入了AlGaInP系LED的器件结构设计,通过理论分析与实验验证,结果显示:光子晶体结构对于提高AlGaInP系LED的光提取效率同样起到了明显的效果,引入光子晶体后,LED的输出光强比常规结构LED平均提高了16% |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展计划,北京市自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21712]  |
| 专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠,陈微. 表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究[J]. 物理学报,2010,59(11):8083-8087. |
| APA | 陈良惠,&陈微.(2010).表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究.物理学报,59(11),8083-8087. |
| MLA | 陈良惠,et al."表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究".物理学报 59.11(2010):8083-8087. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。