GaAs /AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄寓洋 ; 刘惠春 ; Wasileweski Z R ; Buchanan M ; Laframboise S R ; 杨晨 ; 崔国新 ; 边历峰 ; 杨辉 ; 张耀辉 |
| 刊名 | 光电子·激光
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 21期号:5页码:668-671 |
| 中文摘要 | 研究了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)空间光调制器(SLM)在不同入射角度下的调制特性。对腔模位置与入射角度的关系进行了理论计算和实验验证, 两者具有较好的一致性。当入射角在0°~75°之间变化时, 腔模从871 nm变化至845 nm, 可调节范围达26 nm。当入射光从垂直入射变化为约45°入射时, SLM对比度从 (CR)3. 8提高到16. 3, 调制电压从9. 5 V下降至6. 5 V。理论分析和实验结果表明, 入射角度调节能够有效提高GaAs/AlGaAs MQWSLM调制性能。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 科技部中美国际科技合作计划基金资助项目,苏州市中美国际合作基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21508]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄寓洋,刘惠春,Wasileweski Z R,等. GaAs /AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究[J]. 光电子·激光,2010,21(5):668-671. |
| APA | 黄寓洋.,刘惠春.,Wasileweski Z R.,Buchanan M.,Laframboise S R.,...&张耀辉.(2010).GaAs /AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究.光电子·激光,21(5),668-671. |
| MLA | 黄寓洋,et al."GaAs /AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究".光电子·激光 21.5(2010):668-671. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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