Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 苏少坚 ; 汪巍; 张广泽; 左玉华; 薛春来; 成步文; 胡炜玄; 白安琪
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 60期号:2页码:028101-1-028101-5 |
| 中文摘要 | 使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层, 在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge_(0.975) Sn_(0.025)合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明, Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜具有很好的晶体质量, 并且没有发生Sn表面分凝.另外, Ge_(0.975)_Sn_(0.025)合金薄膜在500℃下具有很好的热稳定性, 有望在Si基光电器件中得到应用 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金,中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21516]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏少坚,汪巍,张广泽,等. Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜[J]. 物理学报,2011,60(2):028101-1-028101-5. |
| APA | 苏少坚.,汪巍.,张广泽.,左玉华.,薛春来.,...&白安琪.(2011).Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜.物理学报,60(2),028101-1-028101-5. |
| MLA | 苏少坚,et al."Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜".物理学报 60.2(2011):028101-1-028101-5. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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