硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 苏少坚 ; 薛春来; 胡炜玄; 成步文; 薛海韵; 白安琪
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| 刊名 | 激光与光电子学进展
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 47期号:3页码:14-14 |
| 中文摘要 | 目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输; 通过外延高质量的锗薄膜, 实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光探测器; 调制速率高达30 GHz的基于硅基载流子等离子体色散效应的硅调制器也已经有报导 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家973计划,国家863计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21556]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏少坚,薛春来,胡炜玄,等. 硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管[J]. 激光与光电子学进展,2010,47(3):14-14. |
| APA | 苏少坚,薛春来,胡炜玄,成步文,薛海韵,&白安琪.(2010).硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管.激光与光电子学进展,47(3),14-14. |
| MLA | 苏少坚,et al."硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管".激光与光电子学进展 47.3(2010):14-14. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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