器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江德生 ; 朱建军; 张书明; 邓懿; 吴亮亮; 赵德刚
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 59期号:12页码:8903-8909 |
| 中文摘要 | 研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层的厚度以保证器件的量子效率.在材料生长和器件工艺过程中都应减少界面态.外加较小的反向偏压能大幅度提高紫外量子效率,分析表明, GaN/AlGaN/GaN形成的两个背靠背,方向相反的异质结电场是出现这些现象的根本原因.在实际器件设计中,应该根据需要调节各结构参数,以保证器件的量子效率 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家杰出青年科学基金,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21588]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江德生,朱建军,张书明,等. 器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响[J]. 物理学报,2010,59(12):8903-8909. |
| APA | 江德生,朱建军,张书明,邓懿,吴亮亮,&赵德刚.(2010).器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响.物理学报,59(12),8903-8909. |
| MLA | 江德生,et al."器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响".物理学报 59.12(2010):8903-8909. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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