条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王伟
|
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 31期号:3页码:369-372 |
| 中文摘要 | 采用0.35μm双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型Si LED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结，n阱为叉指结构，嵌入到p衬底中而结合成Si pn结LED。观察了Si LED发光显微图形及实际器件的版图，并在对器件进行了正、反向I-V特性测试、光功率及光谱特性的测量。Si LED的正向偏置时开启电压为0.9 V，反向偏置时在15 V左右可观察到发光。器件在室温下反向偏置时，10 V，100 mA电流下所得输出光功率为12.6 nW，发光峰值在758 nm处。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,天津市基础研究重点项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21596]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王伟. 条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析[J]. 发光学报,2010,31(3):369-372. |
| APA | 王伟.(2010).条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析.发光学报,31(3),369-372. |
| MLA | 王伟."条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析".发光学报 31.3(2010):369-372. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。