图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川 ; 王杰; 杨晓红; 韩勤; 贺继方; 王秀平; 王国伟
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 60期号:2页码:020703-1-020703-5 |
| 中文摘要 | 报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构, 量子线尺寸约为底边60 nm高14 nm的近三角形.低温87 K下光致发光谱测试在793.7和799.5 nm处出现峰值, 验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示, 相比等宽度量子阱有8 meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21598]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川,王杰,杨晓红,等. 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究[J]. 物理学报,2011,60(2):020703-1-020703-5. |
| APA | 牛智川.,王杰.,杨晓红.,韩勤.,贺继方.,...&王国伟.(2011).图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究.物理学报,60(2),020703-1-020703-5. |
| MLA | 牛智川,et al."图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究".物理学报 60.2(2011):020703-1-020703-5. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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