外延生长Gel-xSnx合金的研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 左玉华 ; 汪巍; 胡炜玄; 张广泽; 成步文; 苏少坚; 薛春来
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| 刊名 | 材料导报
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 24期号:11上页码:90-93，117 |
| 中文摘要 | Ge_1-xSn_x是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝.采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差.采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge_1-xSn_x合金,但是所用的Sn气体源难以获得.综述了Ge_1-xSn_x合金外延生长的研究进展 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 973课题,集成光电子学国家重点实验室自主研究课题,中国科学院半导体研究所青年人才领域前沿项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21600]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 左玉华,汪巍,胡炜玄,等. 外延生长Gel-xSnx合金的研究进展[J]. 材料导报,2010,24(11上):90-93，117. |
| APA | 左玉华.,汪巍.,胡炜玄.,张广泽.,成步文.,...&薛春来.(2010).外延生长Gel-xSnx合金的研究进展.材料导报,24(11上),90-93，117. |
| MLA | 左玉华,et al."外延生长Gel-xSnx合金的研究进展".材料导报 24.11上(2010):90-93，117. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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