γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 蔡毓龙; 李豫东 ; 郭旗; 文林; 周东; 冯婕; 马林东; 张翔
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| 刊名 | 现代应用物理
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| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 10期号:1页码:64-68 |
| 关键词 | 图像传感器 CMOS 满阱容量 电离总剂量效应 |
| ISSN号 | 2095-6223 |
| 英文摘要 | 用60Coγ射线对国产0.18μm科学级4T互补金属氧化物半导体（CMOS）有源像素图像传感器进行电离总剂量辐照试验,研究了动态偏置下满阱容量的变化规律。试验的吸收剂量率为50rad（Si）·s-1,测试点的吸收剂量分别为10,30,50,100,150,200,350krad（Si）。结果表明,随着吸收剂量的增大,满阱容量发生了明显退化。根据提出的钳位光电二极管（PPD）满阱容量计算模型,对实验结果进行了分析。结果表明,辐照导致PPD沟道所能达到的最小电势和PPD电容的变化是引起满阱容量退化的主要原因。 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5716]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 2.中国科学院新疆理化技术研究所 3.新疆电子信息材料与器件重点实验室 4.中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡毓龙,李豫东,郭旗,等. γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理[J]. 现代应用物理,2019,10(1):64-68. |
| APA | 蔡毓龙.,李豫东.,郭旗.,文林.,周东.,...&张翔.(2019).γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理.现代应用物理,10(1),64-68. |
| MLA | 蔡毓龙,et al."γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理".现代应用物理 10.1(2019):64-68. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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