Band engineering of the MoS2/stanene heterostructure: strain and electrostatic gating
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wenqi Xiong; Congxin Xia; Juan Du; Tianxing Wang; Yuting Peng; Zhongming Wei; Jingbo Li |
| 刊名 | Nanotechnology
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 28页码:195702 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2018-06-01 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28499]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wenqi Xiong,Congxin Xia,Juan Du,et al. Band engineering of the MoS2/stanene heterostructure: strain and electrostatic gating[J]. Nanotechnology,2017,28:195702. |
| APA | Wenqi Xiong.,Congxin Xia.,Juan Du.,Tianxing Wang.,Yuting Peng.,...&Jingbo Li.(2017).Band engineering of the MoS2/stanene heterostructure: strain and electrostatic gating.Nanotechnology,28,195702. |
| MLA | Wenqi Xiong,et al."Band engineering of the MoS2/stanene heterostructure: strain and electrostatic gating".Nanotechnology 28(2017):195702. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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