Tuning Edge States in Strained-Layer InAs=GaInSb Quantum Spin Hall Insulators
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lingjie Du; Tingxin Li; Wenkai Lou; Xingjun Wu; Xiaoxue Liu; Zhongdong Han; Chi Zhang; Gerard Sullivan; Amal Ikhlassi; Kai Chang |
| 刊名 | PHYSICAL REVIEW LETTERS
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 119期号:5页码:056803 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2018-06-01 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28496]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lingjie Du,Tingxin Li,Wenkai Lou,et al. Tuning Edge States in Strained-Layer InAs=GaInSb Quantum Spin Hall Insulators[J]. PHYSICAL REVIEW LETTERS,2017,119(5):056803. |
| APA | Lingjie Du.,Tingxin Li.,Wenkai Lou.,Xingjun Wu.,Xiaoxue Liu.,...&Rui-Rui Du.(2017).Tuning Edge States in Strained-Layer InAs=GaInSb Quantum Spin Hall Insulators.PHYSICAL REVIEW LETTERS,119(5),056803. |
| MLA | Lingjie Du,et al."Tuning Edge States in Strained-Layer InAs=GaInSb Quantum Spin Hall Insulators".PHYSICAL REVIEW LETTERS 119.5(2017):056803. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。