Evidence for a topological excitonic insulator in InAs/GaSb bilayers
文献类型:期刊论文
作者 | Lingjie Du; Xinwei Li; Wenkai Lou; Gerard Sullivan; Kai Chang; Junichiro Kono; Rui-Rui Du |
刊名 | NATURE COMMUNICATIONS
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出版日期 | 2017 |
卷号 | 8页码:1971 |
学科主题 | 半导体物理 |
公开日期 | 2018-06-01 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28494] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Lingjie Du,Xinwei Li,Wenkai Lou,et al. Evidence for a topological excitonic insulator in InAs/GaSb bilayers[J]. NATURE COMMUNICATIONS,2017,8:1971. |
APA | Lingjie Du.,Xinwei Li.,Wenkai Lou.,Gerard Sullivan.,Kai Chang.,...&Rui-Rui Du.(2017).Evidence for a topological excitonic insulator in InAs/GaSb bilayers.NATURE COMMUNICATIONS,8,1971. |
MLA | Lingjie Du,et al."Evidence for a topological excitonic insulator in InAs/GaSb bilayers".NATURE COMMUNICATIONS 8(2017):1971. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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