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Evidence for a topological excitonic insulator in InAs/GaSb bilayers

文献类型:期刊论文

作者Lingjie Du; Xinwei Li; Wenkai Lou; Gerard Sullivan; Kai Chang; Junichiro Kono; Rui-Rui Du
刊名NATURE COMMUNICATIONS
出版日期2017
卷号8页码:1971
学科主题半导体物理
公开日期2018-06-01
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28494]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Lingjie Du,Xinwei Li,Wenkai Lou,et al. Evidence for a topological excitonic insulator in InAs/GaSb bilayers[J]. NATURE COMMUNICATIONS,2017,8:1971.
APA Lingjie Du.,Xinwei Li.,Wenkai Lou.,Gerard Sullivan.,Kai Chang.,...&Rui-Rui Du.(2017).Evidence for a topological excitonic insulator in InAs/GaSb bilayers.NATURE COMMUNICATIONS,8,1971.
MLA Lingjie Du,et al."Evidence for a topological excitonic insulator in InAs/GaSb bilayers".NATURE COMMUNICATIONS 8(2017):1971.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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