新型低维IV-VII及V-VI族半导体的光电性质研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 钟绵增 |
| 答辩日期 | 2018-05-22 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 李京波 |
| 关键词 | 低维半导体 光电器件 Sb2s3 Pbi2 Sb-mos2 |
| 学位专业 | 凝聚态物理 |
| 公开日期 | 2018-05-25 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28346]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟绵增. 新型低维IV-VII及V-VI族半导体的光电性质研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2018. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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